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发布时间：2021-05-10

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湖南大学教授刘渊团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管，其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项“微观世界”的创新，为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。日前，这一研究成果发表在《自然—电子学》上。

图为刘渊在电脑屏幕上展示超短沟道垂直场效应晶体管照片。新华社记者苏晓洲摄

《中国科学报》 (2021-05-10 第1版要闻)

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